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Référence fabricant | IRFS3107-7PPBF |
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Numéro de pièce future | FT-IRFS3107-7PPBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
IRFS3107-7PPBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 75V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 240A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6 mOhm @ 160A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 240nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 9200pF @ 50V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 370W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | D2PAK (7-Lead) |
Paquet / caisse | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFS3107-7PPBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRFS3107-7PPBF-FT |
PMN49EN,135
NXP USA Inc.
PMN49EN,165
NXP USA Inc.
PMN50EPEX
Nexperia USA Inc.
PMN50UPE,115
Nexperia USA Inc.
PMN50XP,165
NXP USA Inc.
PMN52XPX
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PMN55ENEX
Nexperia USA Inc.
PMN55LN,135
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PMN70EPEX
Nexperia USA Inc.
PMN70XPE,115
Nexperia USA Inc.
EX128-TQ100
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XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ256
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C7N
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10AX016C3U19I2LG
Intel
10CL025ZE144I8G
Intel
5SGXEA7H3F35I4
Intel
EP3SE50F780I3
Intel