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Référence fabricant | IRFS4115-7PPBF |
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Numéro de pièce future | FT-IRFS4115-7PPBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
IRFS4115-7PPBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 150V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 105A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.8 mOhm @ 63A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5320pF @ 50V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 380W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | D2PAK (7-Lead) |
Paquet / caisse | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFS4115-7PPBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRFS4115-7PPBF-FT |
PMN50UPE,115
Nexperia USA Inc.
PMN50XP,165
NXP USA Inc.
PMN52XPX
Nexperia USA Inc.
PMN55ENEX
Nexperia USA Inc.
PMN55LN,135
NXP USA Inc.
PMN70EPEX
Nexperia USA Inc.
PMN70XPE,115
Nexperia USA Inc.
PMN70XPEAX
Nexperia USA Inc.
PMN70XPX
Nexperia USA Inc.
PMN80XP,115
Nexperia USA Inc.
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
EX128-PTQG64
Microsemi Corporation
5SGXEA7N1F40C2
Intel
EP4SGX530KF43C3
Intel
A40MX04-3PLG44
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
LFEC6E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50SBC356-2
Intel
EP20K60EFC324-1
Intel
EP2S60F1020C5
Intel