maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IRFI9520GPBF
Référence fabricant | IRFI9520GPBF |
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Numéro de pièce future | FT-IRFI9520GPBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
IRFI9520GPBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 5.2A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 3.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 390pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 37W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220-3 |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFI9520GPBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRFI9520GPBF-FT |
TJ20S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TJ30S06M3L(T6L1,NQ
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TJ80S04M3L(T6L1,NQ
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TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
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TK10S04K3L(T6L1,NQ
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XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
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M7A3P1000-FGG256I
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A40MX04-1PL68
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EP1M350F780C6
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LCMXO2-2000HE-6FTG256C
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LFXP2-40E-6FN484I
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10AX066H1F34I1SG
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