maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / TJ40S04M3L(T6L1,NQ
Référence fabricant | TJ40S04M3L(T6L1,NQ |
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Numéro de pièce future | FT-TJ40S04M3L(T6L1,NQ |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | U-MOSVI |
TJ40S04M3L(T6L1,NQ Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 40V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 40A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.1 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 83nC @ 10V |
Vgs (Max) | +10V, -20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4140pF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 68W (Tc) |
Température de fonctionnement | 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | DPAK+ |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TJ40S04M3L(T6L1,NQ Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TJ40S04M3L(T6L1,NQ-FT |
IRLR8103VTRL
Infineon Technologies
IRLR8103VTRLPBF
Infineon Technologies
IRLR8103VTRPBF
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IRLR8103VTRR
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IRLR8113
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IRLR8113PBF
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IRLR8113TR
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IRLR8113TRLPBF
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IRLR8113TRPBF
Infineon Technologies
XC3S700A-4FGG400C
Xilinx Inc.
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C5
Intel
5SGSMD5K2F40C2N
Intel
XC5VLX110-3FF1153C
Xilinx Inc.
XC7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K100EQC240-1X
Intel
EP20K160EQC208-1
Intel