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Toshiba Semiconductor and Storage TJ60S06M3L(T6L1,NQ

Numéro de pièce MFG
TJ60S06M3L(T6L1,NQ
quantité disponible
54490 Pièces
Prix de référence
USD 0.728
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Date d'expédition
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fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
U-MOSVI MOSFET P-CH 60V 60A DPAK-3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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TJ60S06M3L(T6L1,NQ Caractéristiques

Référence fabricant TJ60S06M3L(T6L1,NQ
Numéro de pièce future FT-TJ60S06M3L(T6L1,NQ
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries U-MOSVI
TJ60S06M3L(T6L1,NQ Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 60A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.2 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 156nC @ 10V
Vgs (Max) +10V, -20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7760pF @ 10V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 100W (Tc)
Température de fonctionnement 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur DPAK+
Paquet / caisse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TJ60S06M3L(T6L1,NQ Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange TJ60S06M3L(T6L1,NQ-FT

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