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Toshiba Semiconductor and Storage TK100S04N1L,LQ

Numéro de pièce MFG
TK100S04N1L,LQ
quantité disponible
51900 Pièces
Prix de référence
USD 0.92288
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Date d'expédition
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fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
U-MOSVIII-H MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
TK100S04N1L,LQ.pdf
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TK100S04N1L,LQ Caractéristiques

Référence fabricant TK100S04N1L,LQ
Numéro de pièce future FT-TK100S04N1L,LQ
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries U-MOSVIII-H
TK100S04N1L,LQ Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 40V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 100A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 500µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 76nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5490pF @ 10V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 100W (Tc)
Température de fonctionnement 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur DPAK+
Paquet / caisse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK100S04N1L,LQ Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange TK100S04N1L,LQ-FT

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