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Infineon Technologies IRFHM8363TRPBF
- Numéro de pièce MFG
- IRFHM8363TRPBF
- quantité disponible
- 54380 Pièces
- Prix de référence
- USD 0.308
- Notre prix
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- Date d'expédition
- Nous pouvons expédier aujourd'hui
- fabricant
- Infineon Technologies
- Brève description
- HEXFET® MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Conforme RoHS (sans plomb)
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (illimité)
- Code de date (D / C)
- Nouveau
- catégorie de produit
- Transistors - FET, MOSFET - Matrices
- Stock de ressources
- Distributeur Franchisé
- garantie
- Garantie de qualité de 360 jours
- Fiche technique
- IRFHM8363TRPBF.pdf
IRFHM8363TRPBF Caractéristiques
| Référence fabricant | IRFHM8363TRPBF |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-IRFHM8363TRPBF |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | HEXFET® |
| IRFHM8363TRPBF Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Not For New Designs |
| Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caractéristique FET | Logic Level Gate |
| Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
| Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 11A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.9 mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
| Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1165pF @ 10V |
| Puissance - Max | 2.7W |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / caisse | 8-PowerVDFN |
| Package d'appareils du fournisseur | 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| IRFHM8363TRPBF Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | IRFHM8363TRPBF-FT |
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