maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / FDG6304P-F169
Référence fabricant | FDG6304P-F169 |
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Numéro de pièce future | FT-FDG6304P-F169 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FDG6304P-F169 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 25V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 410mA (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1 Ohm @ 410mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 1.5nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 62pF @ 10V |
Puissance - Max | 300mW |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Package d'appareils du fournisseur | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDG6304P-F169 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FDG6304P-F169-FT |
APTM100A12STG
Microsemi Corporation
APTM100A23SCTG
Microsemi Corporation
APTM100A40FT1G
Microsemi Corporation
APTM100A46FT1G
Microsemi Corporation
APTM100DDA35T3G
Microsemi Corporation
APTM100DU18TG
Microsemi Corporation
APTM100DUM90G
Microsemi Corporation
APTM100H80FT1G
Microsemi Corporation
APTM100TA35SCTPG
Microsemi Corporation
APTM100VDA35T3G
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1BQC
Microchip Technology
LFXP6C-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XCKU035-1FBVA676C
Xilinx Inc.
XC6SLX100T-N3FG484I
Xilinx Inc.
XC6SLX150-L1FGG484C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-3FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX16A-1FG144
Microsemi Corporation
A3P600-2FG256
Microsemi Corporation
EP3C5U256C6N
Intel
XC6VLX365T-1FFG1759I
Xilinx Inc.