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Microsemi Corporation APTM100H80FT1G

Name: APTM100H80FT1G
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APTM100H80FT1G
Availability: InStock
Rating: 4.8 (177 reviews)

Numéro de pièce MFG: APTM100H80FT1G

quantité disponible: 77420 Pièces

Prix de référence: USD 0

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Microsemi Corporation

Brève description: - MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Matrices

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: APTM100H80FT1G.pdf

APTM100H80FT1G Caractéristiques

Référence fabricant	APTM100H80FT1G
Numéro de pièce future	FT-APTM100H80FT1G
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
APTM100H80FT1G Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	4 N-Channel (H-Bridge)
Caractéristique FET	Standard
Drain à la tension source (Vdss)	1000V (1kV)
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	960 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	150nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3876pF @ 25V
Puissance - Max	208W
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount
Paquet / caisse	SP1
Package d'appareils du fournisseur	SP1
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTM100H80FT1G Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	APTM100H80FT1G-FT

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