maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / SMA5127
Référence fabricant | SMA5127 |
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Numéro de pièce future | FT-SMA5127 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SMA5127 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 4A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 550 Ohm @ 2A, 4V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 150pF @ 10V |
Puissance - Max | 4W |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 12-SIP |
Package d'appareils du fournisseur | 12-SIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SMA5127 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SMA5127-FT |
DMTH4014LPDQ-13
Diodes Incorporated
DMTH6016LPD-13
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DMTH6016LPDQ-13
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LKK47-06C5
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Diodes Incorporated
EPF10K50ETC144-3
Intel
XC2S15-5VQG100C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FG456C
Xilinx Inc.
APA075-FG144I
Microsemi Corporation
LFE5U-45F-8BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EFC484-2
Intel
EP20K200FI484-2V
Intel
EP4SGX230KF40I3N
Intel
XA7A100T-2CSG324I
Xilinx Inc.
LCMXO1200C-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation