maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / VBH40-05B
Référence fabricant | VBH40-05B |
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Numéro de pièce future | FT-VBH40-05B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HiPerFET™ |
VBH40-05B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 4 N-Channel (H-Bridge) |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | 500V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 40A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 116 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 8mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 270nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Puissance - Max | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | V2-PAK |
Package d'appareils du fournisseur | V2-PAK |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VBH40-05B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VBH40-05B-FT |
APTC60AM35T1G
Microsemi Corporation
APTC60AM45T1G
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APTC60DDAM24T3G
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APTC60DDAM45T1G
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APTC60DDAM70T1G
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APTC60HM45SCTG
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APTC60HM70BT3G
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XC2S150-6PQG208C
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XC7K355T-2FF901I
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LFE3-150EA-7FN1156I
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LFE3-70EA-7FN484C
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