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Référence fabricant | MMIX2F60N50P3 |
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Numéro de pièce future | FT-MMIX2F60N50P3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HiPerFET™, Polar3™ |
MMIX2F60N50P3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | 500V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 30A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 4mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 96nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 6250pF @ 25V |
Puissance - Max | 320W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 24-SMD Module, 9 Leads |
Package d'appareils du fournisseur | 24-SMPD |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMIX2F60N50P3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MMIX2F60N50P3-FT |
APTC60AM24T1G
Microsemi Corporation
APTC60AM35T1G
Microsemi Corporation
APTC60AM45T1G
Microsemi Corporation
APTC60DDAM24T3G
Microsemi Corporation
APTC60DDAM45T1G
Microsemi Corporation
APTC60DDAM70T1G
Microsemi Corporation
APTC60DHM24T3G
Microsemi Corporation
APTC60HM24T3G
Microsemi Corporation
APTC60HM45SCTG
Microsemi Corporation
APTC60HM45T1G
Microsemi Corporation
EX256-TQ100I
Microsemi Corporation
XC6SLX150-N3CSG484C
Xilinx Inc.
XC4008E-3PQ208C
Xilinx Inc.
XC6SLX75T-2FG484C
Xilinx Inc.
LFE5UM5G-25F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1M120F484C6
Intel
EP4S100G5F45I1N
Intel
XA6SLX4-2CSG225Q
Xilinx Inc.
10AX115H2F34I2LG
Intel
EP2AGX65DF29I3
Intel