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Microsemi Corporation APTSM120TAM33CTPAG

Numéro de pièce MFG
APTSM120TAM33CTPAG
quantité disponible
46710 Pièces
Prix de référence
USD 487.48864
Notre prix
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Date d'expédition
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fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
- POWER MODULE - SIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
APTSM120TAM33CTPAG.pdf
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APTSM120TAM33CTPAG Caractéristiques

Référence fabricant APTSM120TAM33CTPAG
Numéro de pièce future FT-APTSM120TAM33CTPAG
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
APTSM120TAM33CTPAG Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Caractéristique FET Silicon Carbide (SiC)
Drain à la tension source (Vdss) 1200V (1.2kV)
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 112A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33 mOhm @ 60A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 3mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 408nC @ 20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7680pF @ 1000V
Puissance - Max 714W
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / caisse SP6
Package d'appareils du fournisseur SP6
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTSM120TAM33CTPAG Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange APTSM120TAM33CTPAG-FT

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