maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / DMT10H017LPD-13
Référence fabricant | DMT10H017LPD-13 |
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Numéro de pièce future | FT-DMT10H017LPD-13 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
DMT10H017LPD-13 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 54.7A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17.4 mOhm @ 17A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 28.6nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1986pF @ 50V |
Puissance - Max | 2.2W (Ta), 78W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-PowerTDFN |
Package d'appareils du fournisseur | PowerDI5060-8 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMT10H017LPD-13 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DMT10H017LPD-13-FT |
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