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Diodes Incorporated DMN3012LFG-13

Name: DMN3012LFG-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN3012LFG-13
Price: 0.594 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (616 reviews)

Numéro de pièce MFG: DMN3012LFG-13

quantité disponible: 14820 Pièces

Prix de référence: USD 0.594

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Diodes Incorporated

Brève description: - MOSFET 2 N-CH 30V POWERDI3333

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Matrices

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: DMN3012LFG-13.pdf

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DMN3012LFG-13 Caractéristiques

Référence fabricant	DMN3012LFG-13
Numéro de pièce future	FT-DMN3012LFG-13
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
DMN3012LFG-13 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET	Standard
Drain à la tension source (Vdss)	30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12 mOhm @ 15A, 5V, 6 mOhm @ 15A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	850pF @ 15V, 1480pF @ 15V
Puissance - Max	2.2W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	8-PowerLDFN
Package d'appareils du fournisseur	PowerDI3333-8
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN3012LFG-13 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	DMN3012LFG-13-FT

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