maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / SMA5112
Référence fabricant | SMA5112 |
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Numéro de pièce future | FT-SMA5112 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SMA5112 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | 250V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 7A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500 mOhm @ 3.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 450pF @ 10V |
Puissance - Max | 4W |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 12-SIP |
Package d'appareils du fournisseur | 12-SIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SMA5112 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SMA5112-FT |
DMTH4014LPD-13
Diodes Incorporated
DMTH4014LPDQ-13
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LKK47-06C5
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Microsemi Corporation
XC6SLX150-N3CSG484C
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XC4008E-3PQ208C
Xilinx Inc.
XC6SLX75T-2FG484C
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Lattice Semiconductor Corporation
EP1M120F484C6
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EP4S100G5F45I1N
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XA6SLX4-2CSG225Q
Xilinx Inc.
10AX115H2F34I2LG
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