maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / APTM100A23SCTG
Référence fabricant | APTM100A23SCTG |
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Numéro de pièce future | FT-APTM100A23SCTG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
APTM100A23SCTG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Caractéristique FET | Silicon Carbide (SiC) |
Drain à la tension source (Vdss) | 1000V (1kV) |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 36A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270 mOhm @ 18A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 5mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 308nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 8700pF @ 25V |
Puissance - Max | 694W |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | SP4 |
Package d'appareils du fournisseur | SP4 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTM100A23SCTG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | APTM100A23SCTG-FT |
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