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Microsemi Corporation APTSM120AM09CD3AG

Name: APTSM120AM09CD3AG
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APTSM120AM09CD3AG
Price: 492.71104 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (695 reviews)

Numéro de pièce MFG: APTSM120AM09CD3AG

quantité disponible: 64080 Pièces

Prix de référence: USD 492.71104

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Microsemi Corporation

Brève description: - MOSFET 2 N-CH 1200V 337A MODULE

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Matrices

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: APTSM120AM09CD3AG.pdf

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APTSM120AM09CD3AG Caractéristiques

Référence fabricant	APTSM120AM09CD3AG
Numéro de pièce future	FT-APTSM120AM09CD3AG
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
APTSM120AM09CD3AG Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET	Silicon Carbide (SiC)
Drain à la tension source (Vdss)	1200V (1.2kV)
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	337A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11 mOhm @ 180A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 9mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	1224nC @ 20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	23000pF @ 1000V
Puissance - Max	-
Température de fonctionnement	-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount
Paquet / caisse	Module
Package d'appareils du fournisseur	Module
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTSM120AM09CD3AG Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	APTSM120AM09CD3AG-FT

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