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Référence fabricant | APTSM120AM14CD3AG |
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Numéro de pièce future | FT-APTSM120AM14CD3AG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
APTSM120AM14CD3AG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
Caractéristique FET | Silicon Carbide (SiC) |
Drain à la tension source (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 337A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 180A, 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 9mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 1224nC @ 20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 23000pF @ 1000V |
Puissance - Max | 2140W |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTSM120AM14CD3AG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | APTSM120AM14CD3AG-FT |
DMN2053UVT-13
Diodes Incorporated
DMN3012LDG-13
Diodes Incorporated
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DMN3012LFG-7
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XC6SLX9-N3CSG225I
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LFE3-150EA-6FN672C
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