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ON Semiconductor FDC6301N_G

Name: FDC6301N_G
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDC6301N_G
Availability: InStock
Rating: 4.6 (221 reviews)

Numéro de pièce MFG: FDC6301N_G

quantité disponible: 45860 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: - MOSFET 2 N-CH 25V SUPERSOT6

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Matrices

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: FDC6301N_G.pdf

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FDC6301N_G Caractéristiques

Référence fabricant	FDC6301N_G
Numéro de pièce future	FT-FDC6301N_G
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
FDC6301N_G Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET	Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss)	25V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	220mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4 Ohm @ 400mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	0.7nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	9.5pF @ 10V
Puissance - Max	700mW
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Package d'appareils du fournisseur	SuperSOT™-6
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDC6301N_G Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	FDC6301N_G-FT

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