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ON Semiconductor FDG6303N_G

Name: FDG6303N_G
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDG6303N_G
Availability: InStock
Rating: 4.6 (587 reviews)

Numéro de pièce MFG: FDG6303N_G

quantité disponible: 12390 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: - INTEGRATED CIRCUIT

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Matrices

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: FDG6303N_G.pdf

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FDG6303N_G Caractéristiques

Référence fabricant	FDG6303N_G
Numéro de pièce future	FT-FDG6303N_G
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
FDG6303N_G Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET	Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss)	25V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	500mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	450 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	2.3nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	50pF @ 10V
Puissance - Max	300mW
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package d'appareils du fournisseur	SC-88 (SC-70-6)
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDG6303N_G Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	FDG6303N_G-FT

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