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Référence fabricant | IRF8788TRPBF |
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Numéro de pièce future | FT-IRF8788TRPBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
IRF8788TRPBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 24A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8 mOhm @ 24A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 100µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 66nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5720pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2.5W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SO |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF8788TRPBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRF8788TRPBF-FT |
BSD214SNH6327XTSA1
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BSD314SPEL6327HTSA1
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BSD316SNH6327XTSA1
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BSR302NL6327HTSA1
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BSR315PH6327XTSA1
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XCV50-6TQ144C
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LCMXO2-256HC-4SG32C
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LFE5UM-45F-8BG554C
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M1AGL250V5-VQ100
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5SGXMA5K1F40C2LN
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XC2VP2-6FF672I
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CPG196C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FGG144I
Microsemi Corporation