maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / BSD314SPEL6327HTSA1
Référence fabricant | BSD314SPEL6327HTSA1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-BSD314SPEL6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | OptiMOS™ |
BSD314SPEL6327HTSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 1.5A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140 mOhm @ 1.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 6.3µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 2.9nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 294pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 500mW (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PG-SOT363-6 |
Paquet / caisse | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSD314SPEL6327HTSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BSD314SPEL6327HTSA1-FT |
IPP90N06S404AKSA2
Infineon Technologies
IPP90N06S4L04AKSA1
Infineon Technologies
IPP90N06S4L04AKSA2
Infineon Technologies
IPP90R1K0C3XKSA1
Infineon Technologies
IPP90R500C3
Infineon Technologies
IPP90R500C3XKSA1
Infineon Technologies
SPP02N60C3HKSA1
Infineon Technologies
SPP02N60S5HKSA1
Infineon Technologies
SPP02N80C3XKSA1
Infineon Technologies
SPP03N60C3HKSA1
Infineon Technologies
LCMXO2-640HC-4SG48C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-1TQG144
Microsemi Corporation
XC6SLX75T-4FGG484C
Xilinx Inc.
A3P600L-1FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-FCG1152E
Microsemi Corporation
A40MX04-FPL68
Microsemi Corporation
AGLN250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F45C3N
Intel
LFXP6E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD4H3F35C4N
Intel