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Infineon Technologies BSD214SNH6327XTSA1

Name: BSD214SNH6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSD214SNH6327XTSA1
Price: 0.069376 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (698 reviews)

Numéro de pièce MFG: BSD214SNH6327XTSA1

quantité disponible: 99980 Pièces

Prix de référence: USD 0.069376

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: OptiMOS™ MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: BSD214SNH6327XTSA1.pdf

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BSD214SNH6327XTSA1 Caractéristiques

Référence fabricant	BSD214SNH6327XTSA1
Numéro de pièce future	FT-BSD214SNH6327XTSA1
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	OptiMOS™
BSD214SNH6327XTSA1 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	1.5A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	140 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 3.7µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	0.8nC @ 5V
Vgs (Max)	±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	143pF @ 10V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	500mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	PG-SOT363-6
Paquet / caisse	6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSD214SNH6327XTSA1 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	BSD214SNH6327XTSA1-FT

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