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Infineon Technologies BSR802NL6327HTSA1

Numéro de pièce MFG
BSR802NL6327HTSA1
quantité disponible
63720 Pièces
Prix de référence
USD 0.141176
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Date d'expédition
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fabricant
Infineon Technologies
Brève description
OptiMOS™ MOSFET N-CH 20V 3.7A SC-59
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
BSR802NL6327HTSA1.pdf
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BSR802NL6327HTSA1 Caractéristiques

Référence fabricant BSR802NL6327HTSA1
Numéro de pièce future FT-BSR802NL6327HTSA1
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries OptiMOS™
BSR802NL6327HTSA1 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 3.7A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 2.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23 mOhm @ 3.7A, 2.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 750mV @ 30µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 4.7nC @ 2.5V
Vgs (Max) ±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1447pF @ 10V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 500mW (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur PG-SC-59
Paquet / caisse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSR802NL6327HTSA1 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange BSR802NL6327HTSA1-FT

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