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Référence fabricant | IRF7450TRPBF |
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Numéro de pièce future | FT-IRF7450TRPBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
IRF7450TRPBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 200V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 2.5A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170 mOhm @ 1.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 940pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2.5W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SO |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF7450TRPBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRF7450TRPBF-FT |
SPP80N08S2-07
Infineon Technologies
SPP80N08S2L-07
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BSD316SNL6327XT
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XC3S1600E-5FGG320C
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EP4CGX50CF23C7
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5SGXEA3K1F40C2L
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5CGXFC4C7U19C8N
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