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Référence fabricant | SPP80N08S2L-07 |
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Numéro de pièce future | FT-SPP80N08S2L-07 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | OptiMOS™ |
SPP80N08S2L-07 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 75V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 80A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.1 mOhm @ 67A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 233nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 6820pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 300W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO220-3-1 |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPP80N08S2L-07 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SPP80N08S2L-07-FT |
IPP80P04P4L04AKSA1
Infineon Technologies
IPP80P04P4L06AKSA1
Infineon Technologies
IPP80P04P4L08AKSA1
Infineon Technologies
IPP80R280P7XKSA1
Infineon Technologies
IPP90N04S402AKSA1
Infineon Technologies
IPP90N06S404AKSA1
Infineon Technologies
IPP90N06S404AKSA2
Infineon Technologies
IPP90N06S4L04AKSA1
Infineon Technologies
IPP90N06S4L04AKSA2
Infineon Technologies
IPP90R1K0C3XKSA1
Infineon Technologies
A1020B-2VQ80I
Microsemi Corporation
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
5SGXMB6R2F40I2N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP2AGX125DF25I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
Intel
EP4SGX230HF35I4N
Intel