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Référence fabricant | IRF7343TRPBF |
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Numéro de pièce future | FT-IRF7343TRPBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
IRF7343TRPBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N and P-Channel |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | 55V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 4.7A, 3.4A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 4.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 740pF @ 25V |
Puissance - Max | 2W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SO |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF7343TRPBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRF7343TRPBF-FT |
PHKD13N03LT,118
Nexperia USA Inc.
PHKD13N03LT,518
Nexperia USA Inc.
PHKD3NQ10T,518
Nexperia USA Inc.
PHKD6N02LT,518
Nexperia USA Inc.
PHN203,518
Nexperia USA Inc.
PHN210,118
NXP USA Inc.
PHN210T,118
Nexperia USA Inc.
PHP225,118
Nexperia USA Inc.
SI9936DY,518
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DN2625DK6-G
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XC6SLX75-2CSG484I
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XC3S1400AN-5FGG676C
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XC7S25-2FTGB196C
Xilinx Inc.
A42MX36-PQG240M
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A3PE1500-FG484I
Microsemi Corporation
A3P250-2PQG208I
Microsemi Corporation
EP4SGX290FH29I3
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XC7VX550T-3FFG1927E
Xilinx Inc.
AT6005-2JI
Microchip Technology