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Référence fabricant | IRF7343TRPBF |
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Numéro de pièce future | FT-IRF7343TRPBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
IRF7343TRPBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N and P-Channel |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | 55V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 4.7A, 3.4A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 4.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 740pF @ 25V |
Puissance - Max | 2W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SO |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF7343TRPBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRF7343TRPBF-FT |
PHKD13N03LT,118
Nexperia USA Inc.
PHKD13N03LT,518
Nexperia USA Inc.
PHKD3NQ10T,518
Nexperia USA Inc.
PHKD6N02LT,518
Nexperia USA Inc.
PHN203,518
Nexperia USA Inc.
PHN210,118
NXP USA Inc.
PHN210T,118
Nexperia USA Inc.
PHP225,118
Nexperia USA Inc.
SI9936DY,518
NXP USA Inc.
DN2625DK6-G
Microchip Technology
A3PE3000-1FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P400-FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P400-2FGG256
Microsemi Corporation
ICE65L01F-LCB132I
Lattice Semiconductor Corporation
10CL010ZE144I8G
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5SGXEA7K2F35C2N
Intel
XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
10AX057K4F35E3LG
Intel
EP2S90F780I4N
Intel
10AX016E3F27I1HG
Intel