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Référence fabricant | IRF7343TRPBF |
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Numéro de pièce future | FT-IRF7343TRPBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
IRF7343TRPBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N and P-Channel |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | 55V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 4.7A, 3.4A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 4.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 740pF @ 25V |
Puissance - Max | 2W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SO |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF7343TRPBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRF7343TRPBF-FT |
PHKD13N03LT,118
Nexperia USA Inc.
PHKD13N03LT,518
Nexperia USA Inc.
PHKD3NQ10T,518
Nexperia USA Inc.
PHKD6N02LT,518
Nexperia USA Inc.
PHN203,518
Nexperia USA Inc.
PHN210,118
NXP USA Inc.
PHN210T,118
Nexperia USA Inc.
PHP225,118
Nexperia USA Inc.
SI9936DY,518
NXP USA Inc.
DN2625DK6-G
Microchip Technology
XC6SLX150T-N3FG900C
Xilinx Inc.
XC7S50-1FGGA484I
Xilinx Inc.
AFS600-1FG484I
Microsemi Corporation
LFE2-70E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C50U484C8
Intel
EP2AGZ225HF40C4N
Intel
EP1M350F780I6N
Intel
XC7K325T-1FB676C
Xilinx Inc.
M2GL090-FGG676
Microsemi Corporation
EP1C20F400C8N
Intel