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Nexperia USA Inc. PHKD3NQ10T,518

Name: PHKD3NQ10T,518
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: PHKD3NQ10T,518
Availability: InStock
Rating: 4.9 (749 reviews)

Numéro de pièce MFG: PHKD3NQ10T,518

quantité disponible: 76360 Pièces

Prix de référence: USD 0

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Nexperia USA Inc.

Brève description: TrenchMOS™ MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Matrices

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: PHKD3NQ10T,518.pdf

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PHKD3NQ10T,518 Caractéristiques

Référence fabricant	PHKD3NQ10T,518
Numéro de pièce future	FT-PHKD3NQ10T,518
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	TrenchMOS™
PHKD3NQ10T,518 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET	Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss)	100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	90 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	21nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	633pF @ 20V
Puissance - Max	2W
Température de fonctionnement	-65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareils du fournisseur	8-SO
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PHKD3NQ10T,518 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	PHKD3NQ10T,518-FT

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