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Nexperia USA Inc. PHKD6N02LT,518

Numéro de pièce MFG
PHKD6N02LT,518
quantité disponible
11230 Pièces
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Date d'expédition
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fabricant
Nexperia USA Inc.
Brève description
TrenchMOS™ MOSFET 2N-CH 20V 10.9A SOT96-1
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
PHKD6N02LT,518.pdf
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PHKD6N02LT,518 Caractéristiques

Référence fabricant PHKD6N02LT,518
Numéro de pièce future FT-PHKD6N02LT,518
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries TrenchMOS™
PHKD6N02LT,518 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 10.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 3A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 15.3nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 950pF @ 10V
Puissance - Max 4.17W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareils du fournisseur 8-SO
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PHKD6N02LT,518 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange PHKD6N02LT,518-FT

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