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PHN210T,118 Image

Nexperia USA Inc. PHN210T,118

Numéro de pièce MFG
PHN210T,118
quantité disponible
67150 Pièces
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Date d'expédition
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fabricant
Nexperia USA Inc.
Brève description
TrenchMOS™ MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
PHN210T,118.pdf
PHN210T,118 Image

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PHN210T,118 Caractéristiques

Référence fabricant PHN210T,118
Numéro de pièce future FT-PHN210T,118
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries TrenchMOS™
PHN210T,118 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.8V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 20V
Puissance - Max 2W
Température de fonctionnement -65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareils du fournisseur 8-SO
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PHN210T,118 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange PHN210T,118-FT

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