maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / IRF7316GTRPBF
Référence fabricant | IRF7316GTRPBF |
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Numéro de pièce future | FT-IRF7316GTRPBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
IRF7316GTRPBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 4.9A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 58 mOhm @ 4.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 34nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 710pF @ 25V |
Puissance - Max | 2W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SO |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF7316GTRPBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRF7316GTRPBF-FT |
BSO330N02KGFUMA1
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BSO350N03
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BSO615CT
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BSO615N
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XC7A50T-L2CSG325E
Xilinx Inc.
LFE2-12E-7Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
APA750-PQG208
Microsemi Corporation
EP4SGX230KF40C2
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10AX022E4F27I3SG
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5SGXEABK3H40C4N
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A3P600-2FGG144
Microsemi Corporation
10AX090H1F34E1SG
Intel
EPF10K130EBC356-1X
Intel
EP4SGX290FF35I4
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