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Référence fabricant | BSO612CV |
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Numéro de pièce future | FT-BSO612CV |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SIPMOS® |
BSO612CV Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N and P-Channel |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 3A, 2A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 20µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 15.5nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 340pF @ 25V |
Puissance - Max | 2W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | P-DSO-8 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSO612CV Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BSO612CV-FT |
PMCPB5530X,115
Nexperia USA Inc.
PMDPB70XPE,115
Nexperia USA Inc.
PMDPB30XN,115
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PMDPB95XNE2X
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PMDPB28UN,115
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PMDPB38UNE,115
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PMDPB42UN,115
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PMDPB55XP,115
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PMDPB56XN,115
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A1020B-1VQ80C
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EX256-FTQG100
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LCMXO3LF-9400E-5MG256C
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