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Infineon Technologies BSO615CT

Numéro de pièce MFG
BSO615CT
quantité disponible
42560 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
Nous pouvons expédier aujourd'hui
fabricant
Infineon Technologies
Brève description
SIPMOS® MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
BSO615CT.pdf
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BSO615CT Caractéristiques

Référence fabricant BSO615CT
Numéro de pièce future FT-BSO615CT
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries SIPMOS®
BSO615CT Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N and P-Channel
Caractéristique FET Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 3.1A, 2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 20µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 22.5nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 380pF @ 25V
Puissance - Max 2W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareils du fournisseur PG-DSO-8
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSO615CT Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange BSO615CT-FT

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