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Référence fabricant | IPI45P03P4L11AKSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-IPI45P03P4L11AKSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | OptiMOS™ |
IPI45P03P4L11AKSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 45A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.1 mOhm @ 45A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 85µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 55nC @ 10V |
Vgs (Max) | +5V, -16V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3770pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 58W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO262-3 |
Paquet / caisse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPI45P03P4L11AKSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPI45P03P4L11AKSA1-FT |
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