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Infineon Technologies BSB019N03LX G

Name: BSB019N03LX G
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSB019N03LX G
Availability: InStock
Rating: 4.8 (775 reviews)

Numéro de pièce MFG: BSB019N03LX G

quantité disponible: 73260 Pièces

Prix de référence: USD 0

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: OptiMOS™ MOSFET N-CH 30V 174A 2WDSON

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: BSB019N03LX G.pdf

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BSB019N03LX G Caractéristiques

Référence fabricant	BSB019N03LX G
Numéro de pièce future	FT-BSB019N03LX G
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	OptiMOS™
BSB019N03LX G Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	32A (Ta), 174A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.9 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	92nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	8400pF @ 15V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	2.8W (Ta), 89W (Tc)
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	MG-WDSON-2, CanPAK M™
Paquet / caisse	3-WDSON
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSB019N03LX G Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	BSB019N03LX G-FT

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