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Infineon Technologies IPW60R055CFD7XKSA1

Numéro de pièce MFG
IPW60R055CFD7XKSA1
quantité disponible
60960 Pièces
Prix de référence
USD 9.056
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Date d'expédition
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fabricant
Infineon Technologies
Brève description
OptiMOS™ HIGH POWERNEW
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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IPW60R055CFD7XKSA1 Caractéristiques

Référence fabricant IPW60R055CFD7XKSA1
Numéro de pièce future FT-IPW60R055CFD7XKSA1
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries OptiMOS™
IPW60R055CFD7XKSA1 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 38A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 900µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 79nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3194pF @ 400V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 178W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur PG-TO247-3
Paquet / caisse TO-247-3
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPW60R055CFD7XKSA1 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IPW60R055CFD7XKSA1-FT

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