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Référence fabricant | IPS65R1K0CEAKMA1 |
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Numéro de pièce future | FT-IPS65R1K0CEAKMA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CoolMOS™ CE |
IPS65R1K0CEAKMA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 650V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 4.3A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1 Ohm @ 1.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 200µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 15.3nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 328pF @ 100V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 37W (Tc) |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-251 |
Paquet / caisse | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPS65R1K0CEAKMA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPS65R1K0CEAKMA1-FT |
IRF7483MTRPBF
Infineon Technologies
SI3443DVTR
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IRFPS3810PBF
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IRFPS3810
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IRFPS3815PBF
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IPB010N06NATMA1
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IPB009N03LGATMA1
Infineon Technologies
XC7A15T-2FTG256C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1FFVA1156I
Xilinx Inc.
A3PN030-Z1QNG48
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M2GL025T-VFG400
Microsemi Corporation
EP3C5E144C7
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XC7A200T-1FF1156I
Xilinx Inc.
A3P1000-1FGG144I
Microsemi Corporation
AGL600V2-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX125EF29C6N
Intel
EP20K100EBI356-2X
Intel