maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IPS12CN10LGBKMA1
Référence fabricant | IPS12CN10LGBKMA1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IPS12CN10LGBKMA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | OptiMOS™ |
IPS12CN10LGBKMA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 69A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.8 mOhm @ 69A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 83µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 58nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5600pF @ 50V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 125W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO251-3 |
Paquet / caisse | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPS12CN10LGBKMA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPS12CN10LGBKMA1-FT |
IRL8114PBF
Infineon Technologies
IRLB3036GPBF
Infineon Technologies
IRLZ44Z
Infineon Technologies
IRLZ44ZPBF
Infineon Technologies
IRF40DM229
Infineon Technologies
IRF7483MTRPBF
Infineon Technologies
SI3443DVTR
Infineon Technologies
IRFPS3810PBF
Infineon Technologies
IRFPS3810
Infineon Technologies
IRFPS3815PBF
Infineon Technologies
XC2S200-5FGG456I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F672I7
Intel
XC7VX980T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40I3SG
Intel