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Infineon Technologies BSB104N08NP3GXUSA1

Name: BSB104N08NP3GXUSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSB104N08NP3GXUSA1
Price: 0.5268 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (638 reviews)

Numéro de pièce MFG: BSB104N08NP3GXUSA1

quantité disponible: 48060 Pièces

Prix de référence: USD 0.5268

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: OptiMOS™ MOSFET N-CH 80V 13A 2WDSON

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: BSB104N08NP3GXUSA1.pdf

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BSB104N08NP3GXUSA1 Caractéristiques

Référence fabricant	BSB104N08NP3GXUSA1
Numéro de pièce future	FT-BSB104N08NP3GXUSA1
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	OptiMOS™
BSB104N08NP3GXUSA1 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	80V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	13A (Ta), 50A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.4 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 40µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	31nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2100pF @ 40V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	2.8W (Ta), 42W (Tc)
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	MG-WDSON-2, CanPAK M™
Paquet / caisse	3-WDSON
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSB104N08NP3GXUSA1 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	BSB104N08NP3GXUSA1-FT

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