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Infineon Technologies BSB017N03LX3 G

Numéro de pièce MFG
BSB017N03LX3 G
quantité disponible
98130 Pièces
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fabricant
Infineon Technologies
Brève description
OptiMOS™ MOSFET N-CH 30V 147A 2WDSON
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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BSB017N03LX3 G Caractéristiques

Référence fabricant BSB017N03LX3 G
Numéro de pièce future FT-BSB017N03LX3 G
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries OptiMOS™
BSB017N03LX3 G Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 32A (Ta), 147A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.7 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 102nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7800pF @ 15V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 2.8W (Ta), 57W (Tc)
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur MG-WDSON-2, CanPAK M™
Paquet / caisse 3-WDSON
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSB017N03LX3 G Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange BSB017N03LX3 G-FT

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