maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / GSXD120A010S1-D3
Référence fabricant | GSXD120A010S1-D3 |
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Numéro de pièce future | FT-GSXD120A010S1-D3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GSXD120A010S1-D3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 2 Independent |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 120A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 840mV @ 120A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1mA @ 100V |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | SOT-227-4, miniBLOC |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-227 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GSXD120A010S1-D3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GSXD120A010S1-D3-FT |
DPG20C300PN
IXYS
DHH55-36N1F
IXYS
SS150TA60110
IXYS-RF
SS150TC60110
IXYS-RF
SS150TI60110
IXYS-RF
SS275TA12205
IXYS-RF
SS275TC12205
IXYS-RF
MDD172-08N1
IXYS
MDD172-12N1
IXYS
MDD172-14N1
IXYS
AT40K40LV-3BQC
Microchip Technology
A1225A-PQG100I
Microsemi Corporation
XC2V1000-5FG256I
Xilinx Inc.
APA600-FG256
Microsemi Corporation
EP1S25B672C7N
Intel
EP1S20F484C6N
Intel
EP4SGX290FH29C3N
Intel
XC2VP7-5FF672C
Xilinx Inc.
A40MX04-3PLG84
Microsemi Corporation
LFE2M35SE-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation