maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MDD172-14N1
Référence fabricant | MDD172-14N1 |
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Numéro de pièce future | FT-MDD172-14N1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MDD172-14N1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Series Connection |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1400V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 190A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.15V @ 300A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 20mA @ 1400V |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Y4-M6 |
Package d'appareils du fournisseur | Y4-M6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MDD172-14N1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MDD172-14N1-FT |
MDD44-18N1B
IXYS
MDD56-08N1B
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MDD56-12N1B
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IXYS
LCMXO2-1200ZE-1TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4005E-4PQ208I
Xilinx Inc.
M2GL090-1FCSG325I
Microsemi Corporation
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-2PQG208
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49CTR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE75F23I7
Intel
EP2SGX60EF1152I4N
Intel
A3P250-1FGG144T
Microsemi Corporation
EP1AGX35DF780C6N
Intel