maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / SS275TA12205
Référence fabricant | SS275TA12205 |
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Numéro de pièce future | FT-SS275TA12205 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SS275TA12205 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 3 Common Anode |
Type de diode | Silicon Carbide Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.8V @ 5A |
La vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 0ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 200µA @ 1200V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | DE275 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS275TA12205 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SS275TA12205-FT |
MDD26-18N1B
IXYS
MDD44-08N1B
IXYS
MDD44-12N1B
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MDD44-14N1B
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MDD44-18N1B
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MDD56-08N1B
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MDD56-14N1B
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MDD56-16N1B
IXYS
MDD56-18N1B
IXYS
EP2C5T144I8
Intel
A1020B-2PQG100I
Microsemi Corporation
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LFXP20C-5F256C
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LFE2-12SE-6FN256C
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10AX066K1F35E1SG
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EP3SE80F780C4N
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