maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / SS150TI60110
Référence fabricant | SS150TI60110 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-SS150TI60110 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SS150TI60110 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 3 Independent |
Type de diode | Silicon Carbide Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.8V @ 5A |
La vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 0ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50µA @ 600V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | DE150 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS150TI60110 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SS150TI60110-FT |
MDD26-14N1B
IXYS
MDD26-18N1B
IXYS
MDD44-08N1B
IXYS
MDD44-12N1B
IXYS
MDD44-14N1B
IXYS
MDD44-18N1B
IXYS
MDD56-08N1B
IXYS
MDD56-12N1B
IXYS
MDD56-14N1B
IXYS
MDD56-16N1B
IXYS
XC2V500-5FGG456C
Xilinx Inc.
A54SX16A-FG144A
Microsemi Corporation
M1AGLE3000V5-FGG484
Microsemi Corporation
APA075-PQ208A
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HC-6QN84I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A200T-1SBG484C
Xilinx Inc.
LFEC3E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M100SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29C7N
Intel
EPF10K50EQC208-3
Intel