maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / FQS4900TF
Référence fabricant | FQS4900TF |
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Numéro de pièce future | FT-FQS4900TF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | QFET® |
FQS4900TF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N and P-Channel |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V, 300V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 1.3A, 300mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 550 mOhm @ 650mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.95V @ 20mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 2.1nC @ 5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Puissance - Max | 2W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOIC |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQS4900TF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FQS4900TF-FT |
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