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Référence fabricant | FDMJ1032C |
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Numéro de pièce future | FT-FDMJ1032C |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PowerTrench® |
FDMJ1032C Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N and P-Channel |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 3.2A, 2.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 3.2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 3nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 270pF @ 10V |
Puissance - Max | 800mW |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-WFDFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | SC-75, MicroFET |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDMJ1032C Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FDMJ1032C-FT |
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Xilinx Inc.
A42MX16-FPQ100
Microsemi Corporation
LFEC6E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
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EP1K30QC208-3
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