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Infineon Technologies IRF8513TRPBF

Name: IRF8513TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF8513TRPBF
Availability: InStock
Rating: 4.8 (595 reviews)

Numéro de pièce MFG: IRF8513TRPBF

quantité disponible: 16110 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: HEXFET® MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Matrices

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IRF8513TRPBF.pdf

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IRF8513TRPBF Caractéristiques

Référence fabricant	IRF8513TRPBF
Numéro de pièce future	FT-IRF8513TRPBF
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	HEXFET®
IRF8513TRPBF Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET	Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss)	30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	8A, 11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15.5 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.35V @ 25µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	8.6nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	766pF @ 15V
Puissance - Max	1.5W, 2.4W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareils du fournisseur	8-SO
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF8513TRPBF Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IRF8513TRPBF-FT

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