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Infineon Technologies AUIRF7343Q

Numéro de pièce MFG
AUIRF7343Q
quantité disponible
28900 Pièces
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USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
Infineon Technologies
Brève description
HEXFET® MOSFET N/P-CH 55V 4.7/3.4A 8SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
AUIRF7343Q.pdf
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AUIRF7343Q Caractéristiques

Référence fabricant AUIRF7343Q
Numéro de pièce future FT-AUIRF7343Q
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries HEXFET®
AUIRF7343Q Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N and P-Channel
Caractéristique FET Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) 55V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 4.7A, 3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50 mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 740pF @ 25V
Puissance - Max 2W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareils du fournisseur 8-SO
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
AUIRF7343Q Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange AUIRF7343Q-FT

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