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Infineon Technologies IRLHS6376TRPBF

Numéro de pièce MFG
IRLHS6376TRPBF
quantité disponible
18930 Pièces
Prix de référence
USD 0.206784
Notre prix
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Date d'expédition
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fabricant
Infineon Technologies
Brève description
HEXFET® MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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IRLHS6376TRPBF Caractéristiques

Référence fabricant IRLHS6376TRPBF
Numéro de pièce future FT-IRLHS6376TRPBF
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries HEXFET®
IRLHS6376TRPBF Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 3.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 63 mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 10µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 2.8nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 270pF @ 25V
Puissance - Max 1.5W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse 6-VDFN Exposed Pad
Package d'appareils du fournisseur 6-PQFN (2x2)
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRLHS6376TRPBF Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IRLHS6376TRPBF-FT

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